
Как было объявлено на конференции, Canon уже имеет в своем арсенале один EUV-сканер класса SFET (Small-Field Exposure Tool), который из-за малого размера операционного поля (0,2 х 0,6 мм) предназначен скорее для проведения научно-исследовательских работ, чем для коммерческого производства полупроводниковых микросхем. Сообщается, что сканер способен наносить на поверхность кремниевой пластины рисунок с размерами элементов до 24-нм.
Ожидается, что Canon, также, представит участникам конференции свой новый 193-нм иммерсионный сканер FPA-7000AS7 для производства 32-нм микросхем, планируемый к выпуску в течение текущего года.
// 3Dnews.ru





